坯料香蕉视频污污加熱奧氏體的晶核首先在鐵素體與滲碳體兩相界麵或在珠光體的界麵形成，隻有這樣，才能滿足能量波動、結構波動、成分波動三個形核的基本條件。

在坯料香蕉视频污污加熱鐵素體與滲碳體相界麵上的碳原子濃度差異較大，有利於獲得奧氏體晶核所需的碳原子濃度；

在坯料香蕉视频污污加熱的鐵素體與滲碳體相界麵，原子排列不規則，鐵原子有可能通過短程擴散，從舊相的點陣轉移到新相的點陣，從而促進奧氏體晶核的形成。

三、雜質和其它晶體缺陷在兩相界麵處香蕉视频污污加熱時，不僅碳原子濃度較高，而且具有較高的畸變能量，如果新相在這些部位形成核，則可以消除部分晶體缺陷，從而降低係統的吉布斯自由能，同時新相形成核所產生的應變能也更容易通過相界(晶界)流動來變相釋放。

與鐵素體、滲碳體的界麵相界麵一樣，坯料香蕉视频污污加熱珠光體也是奧氏體的形核部位。另外，快速加熱時，由於過熱度大，奧氏體臨界晶核尺寸減小，相變所需的濃度波動也減小，從而使鐵素體中的亞晶界上形核也能形成新相奧氏體。